|
| एमओक्यू: | एक सेट |
| कीमत: | negotiable |
| मानक पैकेजिंग: | पीई बैग + गत्ते का डिब्बा |
| वितरण अवधि: | 5-10 दिन |
| भुगतान विधि: | टी / टी, एल / सी, Paypal |
| आपूर्ति क्षमता: | 1000sets / दिन |
JY11M एन चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET
सामान्य विवरण
JY11M उच्च सेल को प्राप्त करने के लिए नवीनतम ट्रेंच प्रोसेसिंग तकनीकों का उपयोग करता है
घनत्व और उच्च पुनरावृत्ति हिमस्खलन रेटिंग के साथ प्रतिरोध को कम करता है।इन
सुविधाएँ इस डिज़ाइन को बनाने के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैं
बिजली स्विचिंग अनुप्रयोग और अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत विविधता में उपयोग करें।
विशेषताएं
● 100 वी / 110 ए, आरDS (ON) =6.5mΩ@Vजी एस= 10 वी
● फास्ट स्विचिंग और रिवर्स बॉडी रिकवरी
● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता है
● अच्छा गर्मी लंपटता के लिए उत्कृष्ट पैकेज
अनुप्रयोग
● स्विचिंग अनुप्रयोग
● हार्ड स्विच्ड और हाई फ्रीक्वेंसी सर्किट
● इन्वर्टर सिस्टम के लिए पावर प्रबंधन
पूर्ण अधिकतम रेटिंग (Tc = 25ºC जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | सीमा | इकाई | |
| वीडी एस | नाली-स्रोत वोल्टेज | 100 | वी | |
| वीजी एस | गेट-सोर्स वोल्टेज | ± २० | वी | |
| मैंघ | सतत नाली वर्तमान |
टीसी = २५ºसी | 110 | ए |
| Tc = 100ºसी | .२ | |||
| मैंडीएम | स्पंदित नाली वर्तमान | 395 है | ए | |
| पीघ | अधिकतम शक्ति अपव्यय | 210. है | डब्ल्यू | |
| टीजे टीएसटीजी | ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज |
-55 से +175 | ºसी | |
| आरθ जे सी | थर्मल रेसिस्टेंस-जंक्शन टू केस | 0.65 | ºसी / डब्ल्यू | |
| आरθJA | थर्मल प्रतिरोध-जंक्शन से परिवेश तक | ६२ |
बिजली के लक्षण (टा = 25ºC जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | शर्तेँ | मिनट | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| स्थैतिक विशेषताएं | ||||||
| बी.वी.डीएसएस | नाली-स्रोत बिजली की ख़राबी |
वीजी एस= 0 वी, आईडी एस= 250 यूए | 100 | वी | ||
| मैंडीएसएस | शून्य गेट वोल्टेज नाली वर्तमान |
वीडी एस= 100 वी, वीजी एस= 0 वी | 1 | यूए | ||
| मैंजीएसएस | गेट-बॉडी लीकेज वर्तमान |
वीजी एस=± 20 वी, वीडी एस= 0 वी | ± 100 | ना | ||
| वीजीएस (वें) | गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज |
वीडी एस= वीजीएस, मैंडी एस= 250 यूए | 2.0 | 3.0 | 4.0 | वी |
| आरDS (ON) | नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध |
वीजी एस= 10 वी, आईडी एस= 40A | 6.5 | mΩ | ||
| जीएफएस | आगे transconductance |
वीडी एस= 50 वी, आईडी एस= 40A | 100 | रों |
JY11M USER MANUAL को डाउनलोड करें
वीडियो
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| एमओक्यू: | एक सेट |
| कीमत: | negotiable |
| मानक पैकेजिंग: | पीई बैग + गत्ते का डिब्बा |
| वितरण अवधि: | 5-10 दिन |
| भुगतान विधि: | टी / टी, एल / सी, Paypal |
| आपूर्ति क्षमता: | 1000sets / दिन |
JY11M एन चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET
सामान्य विवरण
JY11M उच्च सेल को प्राप्त करने के लिए नवीनतम ट्रेंच प्रोसेसिंग तकनीकों का उपयोग करता है
घनत्व और उच्च पुनरावृत्ति हिमस्खलन रेटिंग के साथ प्रतिरोध को कम करता है।इन
सुविधाएँ इस डिज़ाइन को बनाने के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैं
बिजली स्विचिंग अनुप्रयोग और अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत विविधता में उपयोग करें।
विशेषताएं
● 100 वी / 110 ए, आरDS (ON) =6.5mΩ@Vजी एस= 10 वी
● फास्ट स्विचिंग और रिवर्स बॉडी रिकवरी
● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता है
● अच्छा गर्मी लंपटता के लिए उत्कृष्ट पैकेज
अनुप्रयोग
● स्विचिंग अनुप्रयोग
● हार्ड स्विच्ड और हाई फ्रीक्वेंसी सर्किट
● इन्वर्टर सिस्टम के लिए पावर प्रबंधन
पूर्ण अधिकतम रेटिंग (Tc = 25ºC जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | सीमा | इकाई | |
| वीडी एस | नाली-स्रोत वोल्टेज | 100 | वी | |
| वीजी एस | गेट-सोर्स वोल्टेज | ± २० | वी | |
| मैंघ | सतत नाली वर्तमान |
टीसी = २५ºसी | 110 | ए |
| Tc = 100ºसी | .२ | |||
| मैंडीएम | स्पंदित नाली वर्तमान | 395 है | ए | |
| पीघ | अधिकतम शक्ति अपव्यय | 210. है | डब्ल्यू | |
| टीजे टीएसटीजी | ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज |
-55 से +175 | ºसी | |
| आरθ जे सी | थर्मल रेसिस्टेंस-जंक्शन टू केस | 0.65 | ºसी / डब्ल्यू | |
| आरθJA | थर्मल प्रतिरोध-जंक्शन से परिवेश तक | ६२ |
बिजली के लक्षण (टा = 25ºC जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | शर्तेँ | मिनट | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| स्थैतिक विशेषताएं | ||||||
| बी.वी.डीएसएस | नाली-स्रोत बिजली की ख़राबी |
वीजी एस= 0 वी, आईडी एस= 250 यूए | 100 | वी | ||
| मैंडीएसएस | शून्य गेट वोल्टेज नाली वर्तमान |
वीडी एस= 100 वी, वीजी एस= 0 वी | 1 | यूए | ||
| मैंजीएसएस | गेट-बॉडी लीकेज वर्तमान |
वीजी एस=± 20 वी, वीडी एस= 0 वी | ± 100 | ना | ||
| वीजीएस (वें) | गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज |
वीडी एस= वीजीएस, मैंडी एस= 250 यूए | 2.0 | 3.0 | 4.0 | वी |
| आरDS (ON) | नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध |
वीजी एस= 10 वी, आईडी एस= 40A | 6.5 | mΩ | ||
| जीएफएस | आगे transconductance |
वीडी एस= 50 वी, आईडी एस= 40A | 100 | रों |
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